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MBE源

對于MBE領(lǐng)域的應(yīng)用，我們提供多種不同的高純金屬材料及其化合物，同時也提供先進(jìn)的技術(shù)支持，包括半導(dǎo)體摻雜、熱沉積，真空鍍膜，MOCVD等。

我們可提供高純度（MBE級）金屬作為各種形狀的MBE的外延源，并作為生長GaAs、InP、InSb、GaSb、CdTe、CdTe和CdZnTe晶體的源金屬，以及摻雜和其他源材料。


鋁Al

鋁Al

制造半導(dǎo)體器件金屬化層(薄膜)。
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砷As

砷As

高純砷被廣泛應(yīng)用于制備化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵、砷化銦等，也是半導(dǎo)體材料鍺和硅的摻雜元素，這些材料被用于制造二極管、發(fā)光二極管、紅外線發(fā)射器、激光器等器件。此外，砷的化合物還用于防腐劑、染料和醫(yī)藥等領(lǐng)域。
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硼B(yǎng)

硼B(yǎng)

硼元素是半導(dǎo)體中常用的p型雜質(zhì)元素，它能夠?qū)Π雽?dǎo)體的導(dǎo)電性能和晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著的影響，廣泛應(yīng)用于泛半導(dǎo)體行業(yè)；用作半導(dǎo)體材料硅的摻雜劑。
鈹Be

鈹Be

應(yīng)用于泛半導(dǎo)體行業(yè)；作為分子束外延用源材料。
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鎵Ga

鎵Ga

分子束外延(MBE)的鎵源；制備半導(dǎo)體材料。制造激光二極管和太陽能電池。
紅磷P

紅磷P

用于制備半導(dǎo)體化合物如磷化銦（lnP）、磷化鎵（GaP）等及半導(dǎo)體襯底/外延材料摻雜試劑。
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銦In

銦In

用于分子束外延用源材料、半導(dǎo)體材料摻雜源、制備ITO靶材。
銻Sb

銻Sb

用于制備高純合金、紅外材料；太陽能電池P型材料，N型硅單晶的摻雜源。
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