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前驅(qū)體

前驅(qū)體通常指的是在材料制備過程中，一種用于合成或制備其他物質(zhì)的中間形態(tài)的物質(zhì)。在半導(dǎo)體制造的薄膜沉積工藝中，前驅(qū)體是關(guān)鍵材料，主要用于氣相沉積（包括物理沉積PVD、化學(xué)氣相沉積CVD及原子氣相沉積ALD）鍍膜過程，以形成半導(dǎo)體制造要求的各種薄膜材料，也可用于半導(dǎo)體外延生長、刻蝕、離子注入摻雜以及清洗等。

二氯二氧化鉬

二氯二氧化鉬

用作含鉬薄膜的重要鍍膜前驅(qū)體
四氯化鉿

四氯化鉿

用于高端集成電路制造ALD/CVD工藝中的high-k 薄膜沉積前驅(qū)體；合成含鉿薄膜前驅(qū)體的關(guān)鍵原料
TEMAH

TEMAH

ALD/CVD的前驅(qū)體，用于含鉿薄膜沉積；有機鉿金屬催化劑合成
TEMAZ

TEMAZ

ALD/CVD的前驅(qū)體，用于含鋯薄膜沉積；有機鋯金屬催化劑合成
TEOS

TEOS

關(guān)鍵CVD/ALD硅基前驅(qū)體之一，廣泛應(yīng)用于SiO2 薄膜沉積。
五氯化鉬

五氯化鉬

用作氯化催化劑；用于制備有機金屬化合物，如六羰基鉬。
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四甲基硅烷

四甲基硅烷

ALD/CVD前驅(qū)體材料，主要用作試劑、航空燃料、溶劑、核磁共振試劑。
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茂鉿

茂鉿

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異丙氧基乙基鋅

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